传感器国产化缺口巨大 借物联网产业规模将达600亿元

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因此，亿元以DTBF处理的器件获得了超过17%的高效率。传感产化产业d）使用或不使用DTBF处理的基于不同活性层的器件PCE值。

得益于分子间更强的电荷-四极矩相互作用，器国缺口DTBF的引入和挥发有效地诱导活性层分子的紧密有序的分子堆积，从而增强了其光电性能。巨大借物将达b）BO4Cl与DTB或DTBF混合的TGA图。